TY - JOUR ID - 20834 TI - بررسی تأثیر تنش جانبی بایاس‌کننده بر رفتار مکانیکی - مغناطیسی تک کریستال آلیاژ حافظه‌دار مغناطیسی JO - مجله ی مهندسی مکانیک شریف JA - J40 LA - fa SN - 2676-4725 AU - صیادی, حسن AU - هویت طلب, مریم AU - محرابی, محمدمهدی AD - دانشکده مهندسی مکانیک، دانشگاه صنعتی شریف Y1 - 2019 PY - 2019 VL - 35.3 IS - 1 SP - 93 EP - 101 KW - آلیاژ حافظه‌دار مغناطیسی KW - برداشت انرژی KW - میدان بایاس KW - سازوکار برگشت DO - 10.24200/j40.2018.10827.1446 N2 - آلیاژهای حافظه‌دار مغناطیسی گروه جدیدی از مواد هوشمندند که به دلیل خواصی ویژه ـ مانند کرنش بالای قابل بازگشت، عمر خستگی بالا و پاسخ زمانی سریع ـ به گزینه‌یی مناسب برای سیستم‌های برداشت‌کننده‌ی انرژی، عملگرها و سنسورها بدل شده‌اند. برای استفاده از این مواد در سیستم‌های مذکور همواره به یک سازوکار برگشت نیاز است تا نمونه‌ی آلیاژ را به حالت اولیه برگرداند. روش رایج در برداشت‌کننده‌های انرژی استفاده از یک میدان مغناطیسی بایاس است ولی در این نوشتار با قرار دادن یک تنش بایاس در کنار میدان بایاس، عملکرد سازوکار برگشت بهبود داده می‌شود. به این منظور، اثر اعمال یک تنش فشاری در راستای میدان بایاس بر یک تک‌کریستال آلیاژ حافظه‌دار مغناطیسی، مورد بررسی قرار می‌گیرد. این تنش فشاری می‌تواند ناشی از پیش‌کرنش یا یک سیستم فنری باشد. بدین منظور روابط حاکم بر مسئله در حالت بارگذاری دوبعدی با استفاده از مدل‌های پایه ترمودینامیکی موجود استخراج می‌شود و در بخش شبیه‌سازی، در هر قسمت با تغییر تنش فشاری بایاس‌کننده، اثر این تنش بر خواص مکانیکی ـ مغناطیسی ماده مطالعه می‌شود. با اضافه کردن این تنش مشاهده می‌شود سازوکار برگشت عملکرد بهتری از خود نشان داده، به طوری که میزان تغییرات مغناطیس شوندگی ماده که بر ولتاژ خروجی اثر می‌گذارد، افزایش می‌یابد. همچنین مشخص می‌شود که میدان بایاس به طور کامل قابل حذف نیست و بهترین عملکرد در میدان مغناطیسی ۰٫۲۴ تسلا و تنش فشاری ۰٫۳ مگاپاسکال اتفاق می‌افتد. UR - https://sjme.journals.sharif.edu/article_20834.html L1 - https://sjme.journals.sharif.edu/article_20834_793a619590ac9367f3912152a51fb6b5.pdf ER -