روش جدید برای محاسبه ی تابع چگالی احتمال عمق نفوذ یون‌های پرتاب شده در نیمه هادی‌ها

نوع مقاله: یادداشت فنی

نویسندگان

دانشکده ی مهندسی ، گروه برق - دانشگاه فردوسی مشهد

چکیده

-

کلیدواژه‌ها


عنوان مقاله [English]

A NEW APPROACH FOR CALCULATION OF PROJECTED RANGE DISTRIBUTIONS OF IMPLANTED IONS IN SEMICONDUCTORS

نویسندگان [English]

  • M. Moulavi kakhaki
  • H. Salari
School of Engineering, Department of Electrical - University of Mashhad
چکیده [English]

-

کلیدواژه‌ها [English]

  • -